Número de pieza | FDB024N04AL7 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 109nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7300pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 214W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 80A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263) |
Paquete / caja | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Peso | - |
País de origen | - |