FCP190N60E

FCP190N60E - Fairchild/ON Semiconductor

Número de pieza
FCP190N60E
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V TO220-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
FCP190N60E Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
22 pcs
Precio de referencia
USD 2.88/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para FCP190N60E

FCP190N60E Descripción detallada

Número de pieza FCP190N60E
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 20.6A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3175pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / caja TO-220-3
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA FCP190N60E