EPC8010

EPC8010 - EPC

Número de pieza
EPC8010
Fabricante
EPC
Breve descripción
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
EPC8010 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
EPC8010.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
12500 pcs
Precio de referencia
USD 2.8529/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para EPC8010

EPC8010 Descripción detallada

Número de pieza EPC8010
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.7A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 0.48nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 55pF @ 50V
Vgs (Max) +6V, -4V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 500mA, 5V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor Die
Paquete / caja Die
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA EPC8010