| Número de pieza | EPC2103 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 28A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 40V |
| Potencia - Max | - |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | Die |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Die |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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