| Número de pieza | EPC2023 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 40A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 20mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 15V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | - |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Die |
| Paquete / caja | Die |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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