EPC2020 Descripción detallada
Número de pieza |
EPC2020 |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
N-Channel |
Tecnología |
GaNFET (Gallium Nitride) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
90A (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 16mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
16nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
1780pF @ 30V |
Vgs (Max) |
+6V, -4V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
- |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
2.2 mOhm @ 31A, 5V |
Temperatura de funcionamiento |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor |
Die |
Paquete / caja |
Die |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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