ZXMC3F31DN8TA - Diodes Incorporated

Número de pieza: ZXMC3F31DN8TA
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 50000 pcs
Precio de referencia: USD 0.414/pcs
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Número de pieza	ZXMC3F31DN8TA
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N and P-Channel
Característica FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6.8A, 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12.9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	608pF @ 15V
Potencia - Max	1.8W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SO
Peso	-
País de origen	-

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