VN10LPSTOA - Diodes Incorporated

Número de pieza	VN10LPSTOA
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	270mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	E-Line (TO-92 compatible)
Paquete / caja	E-Line-3, Formed Leads
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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