DMP1200UFR4-7 - Diodes Incorporated

Número de pieza: DMP1200UFR4-7
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Cantidad de stock: 22500 pcs
Precio de referencia: USD 0.1252/pcs
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Número de pieza	DMP1200UFR4-7
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	5.8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	514pF @ 5V
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	480mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	X2-DFN1010-3
Paquete / caja	3-XFDFN
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	DMP1200UFR4-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3	Detalles
	DMP1245UFCL-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN	Detalles