DMN66D0LDW-7 - Diodes Incorporated

Número de pieza	DMN66D0LDW-7
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	23pF @ 25V
Potencia - Max	250mW
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-363
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
DMN600V	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	Detalles
DMN600V-7	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	Detalles
DMN6013LFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8	Detalles
DMN6013LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8	Detalles
DMN6013LFGQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI	Detalles
DMN6013LFGQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI	Detalles
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DMN6017SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252	Detalles
DMN601DMK	DIODES	DMN601DMK DIODES SOT163 New Original Stocks	Detalles
DMN601DMK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26	Detalles