DMN3009LFVW-7 - Diodes Incorporated

Número de pieza: DMN3009LFVW-7
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	DMN3009LFVW-7
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerDI3333-8 (Type UX)
Paquete / caja	8-PowerVDFN
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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