| Número de pieza | DMN2015UFDE-7 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10.5A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 45.6nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1779pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 660mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Paquete / caja | 6-UDFN Exposed Pad |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN2004DMK | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Detalles |
 |
DMN2004DMK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26 | Detalles |
|
DMN2004DWK | DIODES | DMN2004DWK DIODES SOT363 New Original Stocks | Detalles |
 |
DMN2004DWK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363 | Detalles |
 |
DMN2004DWKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363 | Detalles |
|
DMN2004K | DIODES | DMN2004K DIODES SOT23 New Original Stocks | Detalles |
 |
DMN2004K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3 | Detalles |
|
DMN2004K-7-F | DIODESINCORPORATED | DMN2004K-7-F DIODESINCORPORATED SOT 23 New Original Stocks | Detalles |
 |
DMN2004TK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523 | Detalles |
|
DMN2004VK | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Detalles |
