DMN1260UFA-7B - Diodes Incorporated

Número de pieza: DMN1260UFA-7B
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 525000 pcs
Precio de referencia: USD 0.0607/pcs
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Número de pieza	DMN1260UFA-7B
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	500mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	0.96nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	366 mOhm @ 200mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	X2-DFN0806-3
Paquete / caja	3-XFDFN
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	DMN1250UFEL-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1	Detalles
	DMN1260UFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3	Detalles