| Número de pieza | DMN10H170SFDE-13 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.9A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1167pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 660mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Paquete / caja | 6-UDFN Exposed Pad |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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DMN10H099SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2A | Detalles |
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DMN10H099SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 | Detalles |
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DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 17A TO252 | Detalles |
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DMN10H100SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 18A TO252 | Detalles |
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DMN10H120SE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223 | Detalles |
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DMN10H120SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI | Detalles |
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DMN10H120SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI | Detalles |
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DMN10H170SFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | Detalles |
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DMN10H170SFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | Detalles |
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DMN10H170SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI | Detalles |
