DMG4511SK4-13 - Diodes Incorporated

Número de pieza: DMG4511SK4-13
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Precio de referencia: USD 0.3235/pcs
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Número de pieza	DMG4511SK4-13
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N and P-Channel, Common Drain
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	35V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5.3A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	18.7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 25V
Potencia - Max	1.54W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-252-4L
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	DMG4511SK4-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L	Detalles