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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › DMG2301L-13
DMG2301L-13

DMG2301L-13 - Diodes Incorporated

Número de pieza
DMG2301L-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
DMG2301L-13 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
588111 pcs
Precio de referencia
USD 0.045/pcs
Nuestro precio
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DMG2301L-13 Descripción detallada

Número de pieza DMG2301L-13
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 476pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-23
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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