DMC1229UFDB-13 - Diodes Incorporated

Número de pieza: DMC1229UFDB-13
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Código de fecha: New
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Precio de referencia: USD 0.1612/pcs
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Número de pieza	DMC1229UFDB-13
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N and P-Channel
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5.6A, 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	19.6nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	914pF @ 6V
Potencia - Max	1.4W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	6-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor	U-DFN2020-6 (Type B)
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	DMC1229UFDB-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6	Detalles
	DMC1229UFDB-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6	Detalles