1N4448HWS-13-F - Diodes Incorporated

Número de pieza: 1N4448HWS-13-F
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Diodos - Rectificadores - Simple
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Cantidad de stock: 775000 pcs
Precio de referencia: USD 0.0528/pcs
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Número de pieza	1N4448HWS-13-F
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	80V
Corriente - promedio rectificado (Io)	250mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1.25V @ 150mA
Velocidad	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	4ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	100nA @ 80V
Capacitancia @ Vr, F	3.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SC-76, SOD-323
Paquete de dispositivo del proveedor	-
Temperatura de funcionamiento - unión	-65°C ~ 150°C
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
1N4444-1	Microsemi Corporation	DIODE SWITCHING	Detalles
1N4446	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35	Detalles
1N4446 BK	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35	Detalles
1N4446 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35	Detalles
1N4446TR	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35	Detalles
1N4446_T50R	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35	Detalles
1N4447	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V DO35	Detalles
1N4447TR	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V DO35	Detalles
1N4448	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35	Detalles
1N4448 A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35	Detalles