TB8S-G Descripción detallada
Número de pieza |
TB8S-G |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de diodo |
Single Phase |
Tecnología |
Standard |
Voltaje - Pico Inverso (Máx) |
800V |
Corriente - promedio rectificado (Io) |
800mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si |
950mV @ 400mA |
Current - Reverse Leakage @ Vr |
10µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Surface Mount |
Paquete / caja |
4-SMD, Gull Wing |
Paquete de dispositivo del proveedor |
4-TBS |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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