B1S-G Descripción detallada
Número de pieza |
B1S-G |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de diodo |
Single Phase |
Tecnología |
Standard |
Voltaje - Pico Inverso (Máx) |
100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) |
800mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si |
1.1V @ 800mA |
Current - Reverse Leakage @ Vr |
5µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Surface Mount |
Paquete / caja |
TO-269AA, 4-BESOP |
Paquete de dispositivo del proveedor |
MBS |
Peso |
- |
País de origen |
- |
PRODUCTOS RELACIONADOS PARA B1S-G