| Número de pieza | CTLDM8002A-M621 TR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 50V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 280mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.72nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 900mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TLM621 |
| Paquete / caja | 6-PowerVFDFN |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
|
CTLDM8002A-M621 BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 50V DFN6 | Detalles |
|
CTLDM8002A-M621 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 50V DFN6 | Detalles |
 |
CTLDM8002A-M621H | CENTRAL | SURFACE MOUNT TLM P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET | Detalles |
|
CTLDM8002A-M621H BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 50V DFN6 | Detalles |
|
CTLDM8002A-M621H TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 50V DFN6 | Detalles |
|
CTLDM8120-M621H BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 20V DFN6 | Detalles |
|
CTLDM8120-M621H TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 20V DFN6 | Detalles |
|
CTLDM8120-M832DS BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET DUAL N-CHANNEL | Detalles |
|
CTLDM8120-M832DS TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET DUAL N-CHANNEL | Detalles |
