| Número de pieza | CEDM8004 TR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 450mA (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.88nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 55pF @ 25V |
| Vgs (Max) | 8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 100mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 430mA, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-883VL |
| Paquete / caja | SC-101, SOT-883 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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CEDM7001 BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883 | Detalles |
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