| Número de pieza | 2N6609 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16A |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 140V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 1.4V @ 800mA, 8A |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 10mA |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 8A, 4V |
| Potencia - Max | 150W |
| Frecuencia - Transición | - |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-204AA, TO-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-3 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
2N0303 | INFINEON | 2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks | Detalles |
|
2N03L10 | INFINEON | 2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks | Detalles |
|
2N1008 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Detalles |
|
2N1008A | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Detalles |
|
2N1008B | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Detalles |
|
2N1011 | EXSHINE | germanium transistors | Detalles |
 |
2N1016B | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Detalles |
|
2N1016C | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Detalles |
|
2N1016D | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Detalles |
|
2N1057 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Detalles |
