2N4859A - Central Semiconductor Corp

Número de pieza	2N4859A
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Voltaje - avería (V (BR) GSS)	30V
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	50mA @ 15V
Drenaje actual (Id) - Max	250pA
Voltaje - Corte (VGS apagado) @ Id	10V @ 500pA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10pF @ 10V (VGS)
Resistencia - RDS (Encendido)	25 Ohm
Potencia - Max	360mW
Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / caja	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-18
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
2N4000	CENTRAL	Small Signal Transistors	Detalles
2N4001	CENTRAL	Small Signal Transistors	Detalles
2N4003K	WEITRON	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	Detalles
2N4012	EXSHINE	silicon transistors UHF/VHF power transistors	Detalles
2N4013	Central Semiconductor Corp	TRANS NPN 30V TO-18	Detalles
2N4014	Central Semiconductor Corp	TRANS NPN 50V TO-18	Detalles
2N4015	Central Semiconductor Corp	TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6	Detalles
2N4016	Central Semiconductor Corp	TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6	Detalles
2N4021	EXSHINE	SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS	Detalles
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