TN2510N8-G - Microchip Technology

Número de pieza	TN2510N8-G
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	730mA (Tj)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	3V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	125pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 750mA, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-243AA (SOT-89)
Paquete / caja	TO-243AA
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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