TN0610N3-G-P003

TN0610N3-G-P003 - Microchip Technology

Número de pieza
TN0610N3-G-P003
Fabricante
Microchip Technology
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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1 Day
Código de fecha
New
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31544 pcs
Precio de referencia
USD 0.8034/pcs
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TN0610N3-G-P003 Descripción detallada

Número de pieza TN0610N3-G-P003
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 500mA (Tj)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 3V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 750mA, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-92-3
Paquete / caja TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Peso -
País de origen -

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