TN0604N3-G-P013 Descripción detallada
Número de pieza |
TN0604N3-G-P013 |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
N-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
700mA (Tj) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1.6V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
190pF @ 20V |
Vgs (Max) |
±20V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
740mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
750 mOhm @ 1.5A, 10V |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor |
TO-92-3 |
Paquete / caja |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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