DN3765K4-G

DN3765K4-G - Microchip Technology

Número de pieza
DN3765K4-G
Fabricante
Microchip Technology
Breve descripción
MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
5000 pcs
Precio de referencia
USD 1.9323/pcs
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DN3765K4-G Descripción detallada

Número de pieza DN3765K4-G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 300mA (Tj)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 825pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET Depletion Mode
Disipación de potencia (Máx) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 150mA, 0V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-252-3
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
País de origen -

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