BLF6G27-10G,112 - Ampleon USA Inc.

Número de pieza: BLF6G27-10G,112
Fabricante: Ampleon USA Inc.
Breve descripción: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: BLF6G27-10G,112 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: BLF6G27-10G,112.pdf
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - RF
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 657 pcs
Precio de referencia: USD 37.12/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	BLF6G27-10G,112
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	LDMOS
Frecuencia	2.5GHz ~ 2.7GHz
Ganancia	19dB
Voltaje - Prueba	28V
Valoración actual	3.5A
Figura de ruido	-
Actual - Prueba	130mA
Salida de potencia	2W
Voltaje - Clasificación	65V
Paquete / caja	SOT-975C
Paquete de dispositivo del proveedor	CDFM2
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
BLF6G05LS-200RN,11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B	Detalles
BLF6G05LS-200RN:11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B	Detalles
BLF6G10-135RN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A	Detalles
BLF6G10-160RN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A	Detalles
BLF6G10-200RN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A	Detalles
BLF6G10-45,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A	Detalles
BLF6G10-45,135	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A	Detalles
BLF6G10L-260PBM,11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V SOT1110A	Detalles
BLF6G10L-260PBM:11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V SOT1110A	Detalles
BLF6G10L-260PRN,11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A	Detalles