| Número de pieza | AOTF20S60L |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 19.8nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1038pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 37.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199 mOhm @ 10A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220-3F |
| Paquete / caja | TO-220-3 Full Pack |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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AOTF10B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 20A 42W TO220F | Detalles |
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AOTF10B60D2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 10A TO-220F | Detalles |
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AOTF10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO220 | Detalles |
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AOTF10B65M2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO220 | Detalles |
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AOTF10N50FD | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 10A TO220F | Detalles |
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AOTF10N50FD_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 10A TO220F | Detalles |
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AOTF10N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220F | Detalles |
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AOTF10N60L_002 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220F | Detalles |
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AOTF10N60_003 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220F | Detalles |
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AOTF10N60_006 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220F | Detalles |
