AON6532P

AON6532P - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Número de pieza
AON6532P
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Breve descripción
MOSFET N-CH DFN
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3964 pcs
Precio de referencia
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AON6532P Descripción detallada

Número de pieza AON6532P
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 68A
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 710mV @ 1A
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 17.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 35.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor -
Paquete / caja -
Peso -
País de origen -

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