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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › AON2701_001
AON2701_001

AON2701_001 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Número de pieza
AON2701_001
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Breve descripción
MOSFET P-CH W/DIODE DFN
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
AON2701_001 Navegación en línea de PDF
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-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4257 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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AON2701_001 Descripción detallada

Número de pieza AON2701_001
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
Característica FET Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (Máx) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 3A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 6-DFN (2x2)
Paquete / caja 6-WDFN Exposed Pad
Peso -
País de origen -

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