| Número de pieza | AOB418L |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.5A (Ta), 105A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 50V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.1W (Ta), 333W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-263 (D²Pak) |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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AOB10B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 20A 163W TO263 | Detalles |
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AOB10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO263 | Detalles |
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AOB10N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO263 | Detalles |
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AOB10T60PL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO263 | Detalles |
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AOB1100L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 8A TO263 | Detalles |
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AOB11C60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH TO-263 | Detalles |
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AOB11C60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO263 | Detalles |
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AOB11N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO263 | Detalles |
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AOB11S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO263 | Detalles |
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AOB11S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 11A TO263 | Detalles |
