| Número de pieza | AOB1608L |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11A (Ta), 140A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3690pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.1W (Ta), 333W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3 mOhm @ 20A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-263 (D²Pak) |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
|
AOB10B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 20A 163W TO263 | Detalles |
|
AOB10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO263 | Detalles |
|
AOB10N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO263 | Detalles |
|
AOB10T60PL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO263 | Detalles |
|
AOB1100L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 8A TO263 | Detalles |
|
AOB11C60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH TO-263 | Detalles |
|
AOB11C60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO263 | Detalles |
|
AOB11N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO263 | Detalles |
|
AOB11S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO263 | Detalles |
|
AOB11S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 11A TO263 | Detalles |
