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Zuhause › Produktkategorien › Integrierte Schaltungen (ICs) › Speicher › W979H6KBVX2E TR
W979H6KBVX2E TR

W979H6KBVX2E TR - Winbond Electronics

Artikelnummer
W979H6KBVX2E TR
Hersteller
Winbond Electronics
Kurze Beschreibung
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 134VFBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
W979H6KBVX2E TR PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
6664 pcs
Referenzpreis
USD 3.8452/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern W979H6KBVX2E TR

W979H6KBVX2E TR detaillierte Beschreibung

Artikelnummer W979H6KBVX2E TR
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße 512Mb (32M x 16)
Taktfrequenz 400MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 15ns
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.14 V ~ 1.95 V
Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 134-VFBGA
Lieferantengerätepaket 134-VFBGA (10x11.5)
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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