BYV430J-600PQ - WeEn Semiconductors

Artikelnummer	BYV430J-600PQ
Teilstatus	Active
Diodenkonfiguration	1 Pair Common Cathode
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)	30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	2V @ 30A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	90ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	10µA @ 600V
Betriebstemperatur - Kreuzung	175°C (Max)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-3P-3, SC-65-3
Lieferantengerätepaket	TO-3P
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BYV430J-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P	Einzelheiten
BYV430K-300PQ	WeEn Semiconductors	BYV430K-300P/TO3P/STANDARD MAR	Einzelheiten
BYV430W-300PQ	WeEn Semiconductors	BYV430W-300P/TO-247/STANDARD M	Einzelheiten