BYC10B-600,118 - WeEn Semiconductors

Artikelnummer	BYC10B-600,118
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	500V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	2.9V @ 10A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	55ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	200µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F	-
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket	D2PAK
Betriebstemperatur - Kreuzung	150°C (Max)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BYC10-600,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 500V 10A TO220AC	Einzelheiten
BYC10-600CT,127	WeEn Semiconductors	DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220AB	Einzelheiten
BYC10-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC	Einzelheiten
BYC100W-1200PQ	WeEn Semiconductors	BYC100W-1200P/TO247-2L/STANDARD	Einzelheiten
BYC10B-600,118	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 500V 10A D2PAK	Einzelheiten
BYC10D-600,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 500V 10A TO220AC	Einzelheiten
BYC10DX-600,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 500V 10A TO220F	Einzelheiten
BYC10X-600	PHI	BYC10X-600 PHI T0-220.. New Original Stocks	Einzelheiten
BYC10X-600,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 500V 10A TO220F	Einzelheiten
BYC10X-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F	Einzelheiten