| Artikelnummer | VS-VSKT230-12PBF |
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| Teilstatus | Active |
| Struktur | Series Connection - All SCRs |
| Anzahl der SCRs, Dioden | 2 SCRs |
| Spannung - Aus Zustand | 1.2kV |
| Strom - Ein Zustand (Es (AV)) (Max) | 230A |
| Aktuell - Ein Zustand (Es (RMS)) (Max) | 510A |
| Spannung - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 3V |
| Aktuell - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200mA |
| Strom - Nicht Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 7500A, 7850A |
| Aktuell - Halten (Ih) (Max) | 500mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 130°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | MAGN-A-PAK |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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VS-VSKC166/04PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE MODULE 400V INT-A-PAK | Einzelheiten |
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VS-VSKC166/08PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 800V 82.5A INTAPAK | Einzelheiten |
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VS-VSKC166/12PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE MODULE 1.2KV INT-A-PAK | Einzelheiten |
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VS-VSKC166/16PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 1.6KV 82.5A INTAPAK | Einzelheiten |
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VS-VSKC196/04PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 400V 97.5A INTAPAK | Einzelheiten |
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VS-VSKC196/08PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 800V 97.5A INTAPAK | Einzelheiten |
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VS-VSKC196/12PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 1.2KV 97.5A INTAPAK | Einzelheiten |
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VS-VSKC196/16PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 1.6KV 97.5A INTAPAK | Einzelheiten |
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VS-VSKC236/04PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 115A INTAPAK | Einzelheiten |
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VS-VSKC236/12PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 1.2KV 115A INTAPAK | Einzelheiten |
