| Artikelnummer | VS-VSKN105/06 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Struktur | Common Anode - SCR/Diode |
| Anzahl der SCRs, Dioden | 1 SCR, 1 Diode |
| Spannung - Aus Zustand | 600V |
| Strom - Ein Zustand (Es (AV)) (Max) | 105A |
| Aktuell - Ein Zustand (Es (RMS)) (Max) | 235A |
| Spannung - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2.5V |
| Aktuell - Gate Trigger (Igt) (Max) | 150mA |
| Strom - Nicht Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 2000A, 2094A |
| Aktuell - Halten (Ih) (Max) | 250mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 130°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | ADD-A-PAK (3 + 4) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
VS-VSHD320CW40 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 160A TO244 | Einzelheiten |
|
VS-VSKC166/04PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE MODULE 400V INT-A-PAK | Einzelheiten |
|
VS-VSKC166/08PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 800V 82.5A INTAPAK | Einzelheiten |
|
VS-VSKC166/12PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE MODULE 1.2KV INT-A-PAK | Einzelheiten |
|
VS-VSKC166/16PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 1.6KV 82.5A INTAPAK | Einzelheiten |
|
VS-VSKC196/04PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 400V 97.5A INTAPAK | Einzelheiten |
|
VS-VSKC196/08PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 800V 97.5A INTAPAK | Einzelheiten |
|
VS-VSKC196/12PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 1.2KV 97.5A INTAPAK | Einzelheiten |
|
VS-VSKC196/16PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 1.6KV 97.5A INTAPAK | Einzelheiten |
|
VS-VSKC236/04PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 115A INTAPAK | Einzelheiten |
