VS-FB180SA10P

VS-FB180SA10P - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer
VS-FB180SA10P
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3583 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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VS-FB180SA10P detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VS-FB180SA10P
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 180A
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 380nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10700pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 480W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 180A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227
Paket / Fall SOT-227-4
Gewicht -
Ursprungsland -

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