| Artikelnummer | VS-CPV364M4UPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | - |
| Aufbau | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 20A |
| Leistung max | 63W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 10A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 250µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 2.1nF @ 30V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | 19-SIP (13 Leads), IMS-2 |
| Lieferantengerätepaket | IMS-2 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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VS-CPH3006L-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE STANDARD 600V 15A TO247 | Einzelheiten |
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VS-CPH6006L-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE STANDARD 600V 15A TO247 | Einzelheiten |
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VS-CPU3006L-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE STANDARD 600V 15A TO247 | Einzelheiten |
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VS-CPU6006-N3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE STANDARD 600V 30A TO247AC | Einzelheiten |
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VS-CPU6006L-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE STANDARD 600V 30A TO247 | Einzelheiten |
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VS-CPU6006L-N3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 2X30A TO-247 | Einzelheiten |
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VS-CPU6006LHN3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 2X30A TO-247 | Einzelheiten |
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VS-CPV362M4FPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2 | Einzelheiten |
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VS-CPV362M4KPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP | Einzelheiten |
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VS-CPV362M4UPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP | Einzelheiten |
