VS-30TPS08PBF - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	VS-30TPS08PBF
Teilstatus	Active
Spannung - Aus Zustand	800V
Spannung - Gate Trigger (Vgt) (Max)	2V
Aktuell - Gate Trigger (Igt) (Max)	45mA
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (Max)	1.3V
Strom - Ein Zustand (Es (AV)) (Max)	20A
Aktuell - Ein Zustand (Es (RMS)) (Max)	30A
Aktuell - Halten (Ih) (Max)	100mA
Aktuell - Aus Status (Max)	500µA
Strom - Nicht Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	300A @ 50Hz
SCR-Typ	Standard Recovery
Betriebstemperatur	-40°C ~ 125°C
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-247-3
Lieferantengerätepaket	TO-247AC
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
VS-300CNQ045PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO244	Einzelheiten
VS-300MT160C	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 3P 1.6KV 258A MTC	Einzelheiten
VS-300MT180C	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 3P 1.8KV 258A MTC	Einzelheiten
VS-300U10A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 300A DO205AB	Einzelheiten
VS-300U20A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 300A DO205AB	Einzelheiten
VS-300U30A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 300V 300A DO205AB	Einzelheiten
VS-300U40A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 300A DO205AB	Einzelheiten
VS-300U40AM20	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE STD REC 300A DO-9	Einzelheiten
VS-300U60A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 300A DO205AB	Einzelheiten
VS-300UR10A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 300A DO205AB	Einzelheiten