| Artikelnummer | VB10150S-M3/4W |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 10A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 10A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 150µA @ 150V |
| Kapazität @ Vr, F | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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VB10150C | VISHAY | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A | Einzelheiten |
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VB10150C-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO263 | Einzelheiten |
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VB10150C-E3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO263 | Einzelheiten |
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VB10150C-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-263AB | Einzelheiten |
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VB10150C-M3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-263AB | Einzelheiten |
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VB10150S | VISHAY | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A | Einzelheiten |
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VB10150S-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO263AB | Einzelheiten |
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VB10150S-E3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO263AB | Einzelheiten |
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VB10150S-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-263AB | Einzelheiten |
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VB10150S-M3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-263AB | Einzelheiten |
