V20202G-M3/4W - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	V20202G-M3/4W
Teilstatus	Active
Diodenkonfiguration	1 Pair Common Cathode
Dioden-Typ	Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)	10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	920mV @ 10A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	150µA @ 200V
Betriebstemperatur - Kreuzung	-40°C ~ 175°C
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-220-3
Lieferantengerätepaket	TO-220-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
V20200C	VISHAY	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A	Einzelheiten
V20200C-E3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220	Einzelheiten
V20200G-E3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220	Einzelheiten
V20202C-M3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO220AB	Einzelheiten
V20202G-M3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO220AB	Einzelheiten