UH2DHE3_A/H - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	UH2DHE3_A/H
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.05V @ 2A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	25ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	2µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F	42pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	DO-214AA, SMB
Lieferantengerätepaket	DO-214AA (SMB)
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 175°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
UH2D-E3/52T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA	Einzelheiten
UH2D-E3/5BT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA	Einzelheiten
UH2D-M3/52T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE 2A 200V 25NS DO-214AA	Einzelheiten
UH2D-M3/5BT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE 2A 200V 25NS DO-214AA	Einzelheiten
UH2DHE3/52T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA	Einzelheiten
UH2DHE3/5BT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA	Einzelheiten
UH2DHE3_A/H	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA	Einzelheiten
UH2DHE3_A/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA	Einzelheiten