SUM60030E-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SUM60030E-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	80V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	7.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	141nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7910pF @ 40V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	375W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-263 (D2Pak)
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SUM60030E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK	Einzelheiten
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