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| Artikelnummer | SUD50P04-40P-T4-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta), 8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1555pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.4W (Ta), 24W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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SUD50P04-08-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 50A DPAK | Einzelheiten |
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SUD50P04-09L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 50A TO252 | Einzelheiten |
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SUD50P04-09L_08 | VISHAY | P-Channel 40-V (D-S), 175 ∑C MOSFET | Einzelheiten |
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SUD50P04-13L | VISHAY | P-Channel 40-V (D-S), 175C MOSFET | Einzelheiten |
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SUD50P04-13L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 60A TO252 | Einzelheiten |
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SUD50P04-13L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 60A DPAK | Einzelheiten |
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SUD50P04-13L_08 | VISHAY | P-Channel 40-V (D-S) 175 ∑C MOSFET | Einzelheiten |
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SUD50P04-15 | VISHAY | SUD50P04-15 VISHAY TO-252 New Original Stocks | Einzelheiten |
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SUD50P04-15-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 50A TO252 | Einzelheiten |
