SUD45P04-16P-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SUD45P04-16P-GE3
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	36A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2765pF @ 20V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	16.2 mOhm @ 14A, 20V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-252AA
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SUD45P03-09	VIS	SUD45P03-09 VIS TO-252 New Original Stocks	Einzelheiten
SUD45P03-09-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 45A DPAK	Einzelheiten
SUD45P03-10	VISHAY	P-Channel 30-V 150C MOSFET	Einzelheiten
SUD45P03-10-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V TO252	Einzelheiten
SUD45P03-10_08	VISHAY	P-Channel 30-V (D-S), MOSFET	Einzelheiten
SUD45P03-15	VISHAY	SUD45P03-15 VISHAY TO-252 New Original Stocks	Einzelheiten
SUD45P03-15-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V TO252	Einzelheiten
SUD45P04-16P-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 40V 36A TO252	Einzelheiten