SUD35N10-26P-E3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SUD35N10-26P-E3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 12V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	8.3W (Ta), 83W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 12A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-252
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SUD35N05-26L	VISHAY	SUD35N05-26L VISHAY DPAK(T.. New Original Stocks	Einzelheiten
SUD35N05-26L-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 55V 35A TO252	Einzelheiten
SUD35N10-26P	VISHAY	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	Einzelheiten
SUD35N10-26P-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 35A TO252	Einzelheiten
SUD35N10-26P-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 35A DPAK	Einzelheiten
SUD35N10-26P-T4GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 35A TO252	Einzelheiten