SUD08P06-155L-T4E3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SUD08P06-155L-T4E3
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	8.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	450pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	155 mOhm @ 5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-252, (D-Pak)
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SUD08P06-155L	VISHAY	SUD08P06-155L VISHAY SOT-25.. New Original Stocks	Einzelheiten
SUD08P06-155L-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK	Einzelheiten
SUD08P06-155L-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK	Einzelheiten
SUD08P06-155L-T4E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK	Einzelheiten
SUD08P06-155L_08	VISHAY	P-Channel 60-V (D-S), 175 ∑C MOSFET	Einzelheiten
SUD08P06-1S5L-E3	VISHAY	SUD08P06-1S5L-E3 VISHAY TO252 New Original Stocks	Einzelheiten